Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6318P  Dual MOSFET, Dual P Channel, 2.5 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, 700 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6318P
Technical Data Sheet (236.22KB) EN Вижте цялата техническа документация

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

Преглед на продукта

The FDC6318P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • Small footprint
  • Low profile
  • ±8V Gate to source voltage
  • -2.5A Continuous drain/output current
  • -7A Pulsed drain/output current

Информация за продукта

Transistor Polarity:
Dual P Channel
Continuous Drain Current Id:
2.5A
Drain Source Voltage Vds:
-12V
On Resistance Rds(on):
0.09ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-4.5V
Threshold Voltage Vgs:
700mV
Power Dissipation Pd:
960mW
Transistor Case Style:
SuperSOT
No. of Pins:
6Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Намерете подобни продукти  групирани по общи характеристики

Приложения

  • Industrial;
  • Power Management

Законодателство и околна среда

Ниво на чувствителност към влага:
MSL 1 - Unlimited
Страна на произход:
United States

Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес

RoHS съвместим:
Да
Тарифа №:
85412900
Тегло (кг):
.0001

Сродни продукти

Подобни продукти

Намерете продукти, функционално подобни на този. Изберете една от следните връзки и ще бъдете отведени към страница на продуктова група, която представя всички продукти в тази категория, споделящи даден атрибут.