Low

FDC6318P - 

Dual MOSFET, Dual P Channel, 2.5 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, 700 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6318P

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

Част № на производителя:
FDC6318P
Код на поръчката:
1611390RL
Лист с технически данни:
(EN)
Вижте цялата техническа документация

Информация за продукта

:
960mW
:
150°C
:
2.5A
:
Dual P Channel
:
6Pins
:
700mV
:
-
:
-
:
-12V
:
-4.5V
:
SuperSOT
:
0.09ohm
:
MSL 1 - Unlimited
Намерете подобни продукти Изберете и променете атрибутите по-горе, за да намерите подобни продукти.

Преглед на продукта

The FDC6318P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • Small footprint
  • Low profile
  • ±8V Gate to source voltage
  • -2.5A Continuous drain/output current
  • -7A Pulsed drain/output current

Приложения

Industrial, Power Management

Сродни продукти

Сравняване на избраните артикули