Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN342P  MOSFET Transistor, P Channel, 2 A, -20 V, 0.062 ohm, -4.5 V, 1.05 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN342P
Technical Data Sheet (237.19KB) EN Вижте цялата техническа документация

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

Преглед на продукта

The FDN342P is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using rugged gate version of Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (2.5 to 12V).
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)

Информация за продукта

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
2A
Drain Source Voltage Vds:
-20V
On Resistance Rds(on):
0.062ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-4.5V
Threshold Voltage Vgs:
1.05V
Power Dissipation Pd:
500mW
Transistor Case Style:
SuperSOT
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Намерете подобни продукти  групирани по общи характеристики

Приложения

  • Power Management;
  • Industrial

Законодателство и околна среда

Ниво на чувствителност към влага:
MSL 1 - Unlimited
Страна на произход:
United States

Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес

RoHS съвместим:
Да
Тарифа №:
85411000
Тегло (кг):
.000055

Сродни продукти

Подобни продукти

Намерете продукти, функционално подобни на този. Изберете една от следните връзки и ще бъдете отведени към страница на продуктова група, която представя всички продукти в тази категория, споделящи даден атрибут.