Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6679  MOSFET Transistor, P Channel, -13 A, -30 V, 0.0073 ohm, -10 V, -1.6 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6679
Technical Data Sheet (164.75KB) EN Вижте цялата техническа документация

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

Преглед на продукта

The FDS6679 is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers and battery chargers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • High power and current handling capability

Информация за продукта

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-13A
Drain Source Voltage Vds:
-30V
On Resistance Rds(on):
0.0073ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-1.6V
Power Dissipation Pd:
2.5W
Transistor Case Style:
SOIC
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
175°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Намерете подобни продукти  групирани по общи характеристики

Приложения

  • Power Management;
  • Industrial

Законодателство и околна среда

Ниво на чувствителност към влага:
MSL 1 - Unlimited
Страна на произход:
United States

Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес

RoHS съвместим:
Да
Тарифа №:
85412900
Тегло (кг):
.000222

Сродни продукти

Подобни продукти

Намерете продукти, функционално подобни на този. Изберете една от следните връзки и ще бъдете отведени към страница на продуктова група, която представя всички продукти в тази категория, споделящи даден атрибут.