Low

FDS6679 - 

MOSFET Transistor, P Channel, -13 A, -30 V, 0.0073 ohm, -10 V, -1.6 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6679

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

Част № на производителя:
FDS6679
Код на поръчката:
1611455RL
Лист с технически данни:
(EN)
Вижте цялата техническа документация

Информация за продукта

:
2.5W
:
175°C
:
-13A
:
P Channel
:
8Pins
:
-1.6V
:
-
:
-
:
-30V
:
-10V
:
SOIC
:
0.0073ohm
:
MSL 1 - Unlimited
Намерете подобни продукти Изберете и променете атрибутите по-горе, за да намерите подобни продукти.

Преглед на продукта

The FDS6679 is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers and battery chargers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • High power and current handling capability

Приложения

Power Management, Industrial

Сродни продукти

Сравняване на избраните артикули