Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8949  Dual MOSFET, Dual N Channel, 6 A, 40 V, 29 mohm, 10 V, 1.9 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8949
Technical Data Sheet (394.82KB) EN Вижте цялата техническа документация

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

Преглед на продукта

The FDS8949 is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
  • Low gate charge
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • High power and current handling capability

Информация за продукта

Transistor Polarity:
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id:
6A
Drain Source Voltage Vds:
40V
On Resistance Rds(on):
0.029ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
1.9V
Power Dissipation Pd:
2W
Transistor Case Style:
SOIC
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Намерете подобни продукти  групирани по общи характеристики

Приложения

  • Industrial;
  • Power Management

Законодателство и околна среда

Ниво на чувствителност към влага:
MSL 1 - Unlimited
Страна на произход:
United States

Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес

RoHS съвместим:
Да
Тарифа №:
85412900
Тегло (кг):
.000111

Сродни продукти

Подобни продукти

Намерете продукти, функционално подобни на този. Изберете една от следните връзки и ще бъдете отведени към страница на продуктова група, която представя всички продукти в тази категория, споделящи даден атрибут.