Low

VISHAY  IRFL110TRPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V

VISHAY IRFL110TRPBF
Technical Data Sheet (356.58KB) EN Вижте цялата техническа документация

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

Преглед на продукта

The IRFL110TRPBF is a HEXFET® third generation N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of greater than 1.25W is possible in a typical surface-mount application.
  • Dynamic dV/dt rating
  • Repetitive avalanche rating
  • Fast switching
  • Ease of paralleling
  • Simple drive requirements

Информация за продукта

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
1.5A
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
0.54ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
-
Power Dissipation Pd:
2W
Transistor Case Style:
SOT-223
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
-
SVHC:
To Be Advised

Намерете подобни продукти  групирани по общи характеристики

Приложения

  • Power Management

Законодателство и околна среда

Ниво на чувствителност към влага:
-
Страна на произход:
Morocco

Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес

RoHS съвместим:
Y-Ex
Тарифа №:
85412900
Тегло (кг):
.000353

Сродни продукти

Подобни продукти

Намерете продукти, функционално подобни на този. Изберете една от следните връзки и ще бъдете отведени към страница на продуктова група, която представя всички продукти в тази категория, споделящи даден атрибут.