Low

NXP  PMV213SN  MOSFET Transistor, N Channel, 1.9 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 3 V

NXP PMV213SN
Technical Data Sheet (247.26KB) EN Вижте цялата техническа документация

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

Преглед на продукта

The PMV213SN is a N-channel standard level enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS® technology. It is suitable for use in DC-to-DC convertors switching applications.
  • Low conduction losses due to low ON-state resistance
  • -55 to 150°C Junction temperature range

Информация за продукта

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
1.9A
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
0.25ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
3V
Power Dissipation Pd:
2W
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Намерете подобни продукти  групирани по общи характеристики

Приложения

  • Power Management;
  • Industrial

Законодателство и околна среда

Ниво на чувствителност към влага:
MSL 1 - Unlimited
Страна на произход:
Germany

Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес

RoHS съвместим:
Да
Тарифа №:
85412900
Тегло (кг):
.000033

Алтернативи

MOSFET Transistor, N Channel, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V

INFINEON

Прекъсната лента
5 404:  В наличност

Цена за: За бройка (доставено на метраж)

1+ €0,24 25+ €0,235 100+ €0,183 250+ €0,151 Повече…

Купете

Сродни продукти

Подобни продукти

Намерете продукти, функционално подобни на този. Изберете една от следните връзки и ще бъдете отведени към страница на продуктова група, която представя всички продукти в тази категория, споделящи даден атрибут.