Low

ON SEMICONDUCTOR  MMBF2201NT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 300 mA, 20 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V

ON SEMICONDUCTOR MMBF2201NT1G
Technical Data Sheet (57.13KB) EN Вижте цялата техническа документация

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

Преглед на продукта

The MMBF2201NT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
  • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
  • Miniature surface-mount package saves board space
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Информация за продукта

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
300mA
Drain Source Voltage Vds:
20V
On Resistance Rds(on):
1ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
1.7V
Power Dissipation Pd:
150mW
Transistor Case Style:
SOT-323
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Намерете подобни продукти  групирани по общи характеристики

Приложения

  • Portable Devices;
  • Consumer Electronics;
  • Power Management;
  • Computers & Computer Peripherals;
  • Industrial

Законодателство и околна среда

Ниво на чувствителност към влага:
MSL 1 - Unlimited
Страна на произход:
United States

Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес

RoHS съвместим:
Да
Тарифа №:
85412900
Тегло (кг):
.000005

Сродни продукти

Подобни продукти

Намерете продукти, функционално подобни на този. Изберете една от следните връзки и ще бъдете отведени към страница на продуктова група, която представя всички продукти в тази категория, споделящи даден атрибут.