Low

NTS2101PT1G - 

MOSFET Transistor, P Channel, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV

ON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

Производител:
ON SEMICONDUCTOR ON SEMICONDUCTOR
Част № на производителя:
NTS2101PT1G
Код на поръчката:
1453612RL
Лист с технически данни:
(EN)
Вижте цялата техническа документация

Информация за продукта

:
290mW
:
150°C
:
1.4A
:
P Channel
:
3Pins
:
-700mV
:
-
:
-
:
-8V
:
-4.5V
:
SOT-323
:
0.1ohm
:
MSL 1 - Unlimited
Намерете подобни продукти Изберете и променете атрибутите по-горе, за да намерите подобни продукти.

Преглед на продукта

The NTS2101PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -8V drain source voltage and -1.4A continuous drain current. It is suitable for high side load switch, charging circuit, single cell battery applications such as cell phones, digital cameras and PDAs.
  • Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
  • -1.8V Rated for low voltage gate drive
  • Surface-mount for small footprint (2 x 2mm)
  • -55 to 150°C Operating junction temperature range

Приложения

Power Management, Portable Devices, Industrial

Алтернативи

Сравняване на избраните артикули
Производствен номер на елемента
Код на поръчката
Производител / описание
Наличност
Цена за
Количество
9 967 В наличност

За бройка (доставено на метраж)

1+ €0,474 25+ €0,438 100+ €0,197 250+ €0,175 Повече…

Сродни продукти

Сравняване на избраните артикули