Low

RJH60F0DPQ-A0#T0 - 

IGBT Single Transistor, 50 A, 1.7 V, 201.6 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

RENESAS RJH60F0DPQ-A0#T0

Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.

Производител:
RENESAS RENESAS
Част № на производителя:
RJH60F0DPQ-A0#T0
Код на поръчката:
2135153
Лист с технически данни:
(EN)
Вижте цялата техническа документация

Информация за продукта

:
201.6W
:
50A
:
600V
:
150°C
:
3Pins
:
1.7V
:
-
:
-
:
TO-247
:
-
Намерете подобни продукти Изберете и променете атрибутите по-горе, за да намерите подобни продукти.

Преглед на продукта

The RJH60F0DPQ-A0#T0 is a 600V IGBT with high speed power switching and built in fast recovery diode in one package.
  • 150°C Junction temperature
  • Low collector to emitter saturation voltage
  • Trench gate and thin wafer technology
  • High speed switching

Приложения

Power Management

Сродни продукти

Сравняване на избраните артикули