Отпечатване на страница
FF600R12ME4B72BOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяFF600R12ME4B72BOSA1
Код на поръчката3227669
Продуктова гамаEconoDUAL3
Известен също катоFF600R12ME4_B72, SP001712082
Лист с технически данни
19 В наличност
Имате нужда от повече?
.
.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 169,160 |
| 5+ | € 162,210 |
| 10+ | € 155,260 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 169,16 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяFF600R12ME4B72BOSA1
Код на поръчката3227669
Продуктова гамаEconoDUAL3
Известен също катоFF600R12ME4_B72, SP001712082
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current600A
DC Collector Current600A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoDUAL3
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
EconoDUAL3
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Hungary
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Hungary
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00016
Проследяване на продуктите