Отпечатване на страница
FF450R12KE4HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяFF450R12KE4HOSA1
Код на поръчката2377257
Известен също катоFF450R12KE4, SP000370610
Лист с технически данни
10 В наличност
10 Можете да резервирате наличност сега
.
.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 122,670 |
| 5+ | € 114,500 |
| 10+ | € 106,330 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 122,67 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяFF450R12KE4HOSA1
Код на поръчката2377257
Известен също катоFF450R12KE4, SP000370610
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityDual NPN
DC Collector Current520A
Continuous Collector Current520A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd2.4kW
Power Dissipation2.4kW
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The FF450R12KE4 is a 62mm C-series IGBT Module with Trench/field-stop IGBT4 and emitter controlled diode. It features PrimeSTACK™ is available for fast development with minimum effort and superior solution for frequency controlled inverter drives.
- Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses
- Existing packages with higher current capability
- Flexibility
- Optimal electrical performance
- High reliability
- Up to 150°C operating temperature
Приложения
Motor Drive & Control, Alternative Energy, Commercial, Agriculture, Power Management, HVAC
Технически характеристики
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
2.4kW
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
Dual NPN
Continuous Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
2.4kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Технически документи (3)
Сродни продукти
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Hungary
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Hungary
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.25
Проследяване на продуктите