Отпечатване на страница
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRG4PC50FDPBF
Код на поръчката9105123
Продуктова гамаIRG4
Известен също катоSP001545704
Лист с технически данни
Continuous Collector Current70A
Collector Emitter Saturation Voltage1.79V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AC
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeIRG4
Алтернативи за IRG4PC50FDPBF
3 Намерени продукта
Преглед на продукта
The IRG4PC50FDPBF is an insulated gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode, optimized for medium operating frequencies. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
- ±20V Gate-emitter voltage
Приложения
Motor Drive & Control
Технически характеристики
Continuous Collector Current
70A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-247AC
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
Collector Emitter Saturation Voltage
1.79V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Технически документи (2)
Сродни продукти
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00567
Проследяване на продуктите