Отпечатване на страница
SKM50GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM50GB12T4
Код на поръчката2301737
Лист с технически данни
77 В наличност
Имате нужда от повече?
.
.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 82,010 |
| 5+ | € 75,960 |
| 10+ | € 69,360 |
| 50+ | € 67,840 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 82,01 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Информация за продукта
ПроизводителSEMIKRON
Част № на производителяSKM50GB12T4
Код на поръчката2301737
Лист с технически данни
Transistor PolarityDual NPN
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current81A
DC Collector Current81A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleSEMITRANS 2
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Преглед на продукта
The SKM50GB12T4 is a SEMITRANS® 2 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Приложения
Power Management, Maintenance & Repair
Технически характеристики
Transistor Polarity
Dual NPN
Continuous Collector Current
81A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
81A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
SEMITRANS 2
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Технически документи (2)
Алтернативи за SKM50GB12T4
4 Намерени продукта
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Slovak Republic
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.18
Проследяване на продуктите