Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителIXYS SEMICONDUCTOR
Част № на производителяIXTQ40N50L2
Код на поръчката1829751
Лист с технически данни
На разположение за поръчка
Стандартно време за изпълнение на производителя: 40 седмица(и)
Свържете се с мен, когато продуктът е наличен отново.
Количество | |
---|---|
300+ | € 10,000 |
Цена за:Each
Минимален: 300
Множествен: 300
€ 3 000,00 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителIXYS SEMICONDUCTOR
Част № на производителяIXTQ40N50L2
Код на поръчката1829751
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation540W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Преглед на продукта
The IXTQ40N50L2 is a LinearL2™ single N-channel enhancement-mode linear Power MOSFET with extended FBSOA. It is suitable for solid state circuit breakers, soft start controls, linear amplifiers, programmable loads and current regulators. It is designed for linear operation.
- International standard packages
- Avalanche rating
- UL94V-0 Flammability rating
Приложения
Power Management, Industrial
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
540W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (2)
Сродни продукти
4 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Jan-2023)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.006
Проследяване на продуктите