Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителONSEMI
Част № на производителяJ110
Код на поръчката1700616
Gate Source Breakdown Voltage Max25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max40mA
Drain Source Voltage Vds-
Continuous Drain Current Id-
Gate Source Cutoff Voltage Max6V
Power Dissipation350mW
Transistor Case StyleTO-92
Power Dissipation Pd350mW
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
RF Transistor CaseTO-92
No. of Pins3Pins
Product Range-
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Технически характеристики
Gate Source Breakdown Voltage Max
25V
Drain Source Voltage Vds
-
Gate Source Cutoff Voltage Max
6V
Transistor Case Style
TO-92
No. of Pins
3 Pin
RF Transistor Case
TO-92
Product Range
-
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
40mA
Continuous Drain Current Id
-
Power Dissipation
350mW
Power Dissipation Pd
350mW
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Taiwan
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (15-Jan-2018)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002