Отпечатване на страница
ATF-36163-BLKG
RF FET Transistor, High Linearity, 3 V, 40 mA, 180 mW, 1.5 GHz, 18 GHz, SOT-363
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителBROADCOM
Част № на производителяATF-36163-BLKG
Код на поръчката1347224
Лист с технически данни
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителBROADCOM
Част № на производителяATF-36163-BLKG
Код на поръчката1347224
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds3V
Continuous Drain Current Id40mA
Power Dissipation180mW
Operating Frequency Min1.5GHz
Operating Frequency Max18GHz
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel Type-
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Преглед на продукта
The ATF-36163-BLKG is a 3V low noise surface mount Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT) providing noise figure of 1dB at 12GHz and 0.6dB at 4GHz. This feature makes the design of broad band low noise amplifiers much easier. Ideal choice for use in the 2nd or 3rd stage of low noise cascades. Used in Ku-band direct broadcast satellite (DBS) TV systems, C-band TV receive only (TVRO) LNAs, Multichannel Multipoint Distribution Systems (MMDS), X-band Radar detector and other low noise amplifiers operating in the 1.5 to 18GHz frequency range.
- Gain available 11dB typical at 12GHz
- Gain available 17dB typical at 4GHz
Приложения
RF Communications
Предупреждения
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
3V
Power Dissipation
180mW
Operating Frequency Max
18GHz
No. of Pins
6Pins
Channel Type
-
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
40mA
Operating Frequency Min
1.5GHz
Transistor Case Style
SOT-363
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000066