Отпечатване на страница
VS-FC420SA10
MOSFET Transistor, N Channel, 435 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 V, SOT-227
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяVS-FC420SA10
Код на поръчката3513307
Продуктова гамаTrenchFET Series
Лист с технически данни
892 В наличност
640 Можете да резервирате наличност сега
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 23,760 |
| 5+ | € 22,220 |
| 10+ | € 20,680 |
| 50+ | € 19,130 |
| 100+ | € 17,590 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 23,76 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителVISHAY
Част № на производителяVS-FC420SA10
Код на поръчката3513307
Продуктова гамаTrenchFET Series
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id435A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.00215ohm
On Resistance Rds(on)0.0013ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation Pd652W
Power Dissipation652W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
SVHCTo Be Advised
Преглед на продукта
VS-FC420SA10 is a power module single switch power MOSFET.
- ID <gt/> 420A, TC = 25°C, TrenchFET® power MOSFET
- Low input capacitance (Ciss), reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg), avalanche energy rated (UIS)
- UL approved file E78996
- Drain to source voltage is 100V max (TC = 25°C)
- Static drain to source on-resistance is 1.3mohm typ (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 435A max (TC = 25°C)
- Insulation voltage (RMS) is 2500V max (any terminal to case, t = 1 min, TC = 25°C)
- Rise time is 275ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C), fall time is 172ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- SOT-227 package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
435A
Drain Source On State Resistance
0.00215ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
652W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0013ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation
652W
Product Range
TrenchFET Series
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.04
Проследяване на продуктите