Отпечатване на страница
GA100XCP12-227
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителGENESIC
Част № на производителяGA100XCP12-227
Код на поръчката1862695
Вашият номер на част
Лист с технически данни
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителGENESIC
Част № на производителяGA100XCP12-227
Код на поръчката1862695
Лист с технически данни
Continuous Collector Current100A
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleSOT-227
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
IGBT TerminationScrew
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Технически характеристики
Continuous Collector Current
100A
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
SOT-227
No. of Pins
3Pins
IGBT Technology
-
Product Range
-
IGBT Configuration
Single
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Screw
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.029