Bipolar Junction Transistor Arrays - BJT
: 5 Намерени продуктаЦените по договор не могат да се покажат в момента. Показани са стандартните цени на дребно. При обработване на подадените поръчки ще се използват цените по договор.
Изберете свойствата, които искате да виждате добавени в колоните в края на таблицата.
| Част № на производителя | Код на поръчката | Oписание / Производител | Наличност | Цена за |
Цена
|
Количество | Transistor Polarity | Collector Emitter Voltage V(br)ceo | DC Collector Current | Power Dissipation Pd | DC Current Gain hFE | Transistor Case Style | No. of Pins | Transistor Mounting | Operating Temperature Max | Product Range | Automotive Qualification Standard | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | ||||||||
ULN2803APG
|
1047761 |
Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 123 mA, 760 mW, 1000 hFE, DIP TOSHIBA
Преди сте закупували този продукт.
Вижте в хронологията на поръчките
|
|
За бройка |
NPN | 50V | 123mA | 760mW | 1000hFE | DIP | 18Pins | Through Hole | 85°C | - | - | |||
ULN2003AFWG
|
1047755 |
Bipolar Transistor Array, NPN, 50 V, 1.25 W, 1000 hFE, SOIC TOSHIBA
Преди сте закупували този продукт.
Вижте в хронологията на поръчките
|
|
За бройка (доставено на метраж) |
NPN | 50V | - | 1.25W | 1000hFE | SOIC | 16Pins | Surface Mount | 85°C | - | - | |||
ULN2804AFWG
|
1042088 |
Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 90 mA, 1.31 W, 1000 hFE, SOIC TOSHIBA
Преди сте закупували този продукт.
Вижте в хронологията на поръчките
|
|
За бройка (доставено на метраж) |
NPN | 50V | 90mA | 1.31W | 1000hFE | SOIC | 18Pins | Surface Mount | 85°C | - | - | |||
|
ULN2804APG
|
1047762 |
Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 760 mW, 1000 hFE, DIP TOSHIBA
Преди сте закупували този продукт.
Вижте в хронологията на поръчките
|
|
За бройка |
NPN | 50V | - | 760mW | 1000hFE | DIP | 18Pins | Through Hole | 85°C | - | - | |||
|
ULN2004AFWG
|
1047757 |
Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 650 mW, 1000 hFE, SOIC TOSHIBA
Преди сте закупували този продукт.
Вижте в хронологията на поръчките
|
|
За бройка |
NPN | 50V | - | 650mW | 1000hFE | SOIC | 16Pins | Surface Mount | 85°C | - | - |