Отпечатване на страница
HN1B04FU-GR,LF(T
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителTOSHIBA
Част № на производителяHN1B04FU-GR,LF(T
Код на поръчката4274871
Известен също катоHN1B04FU-GR, HN1B04FU-GR,LF
Лист с технически данни
27 000 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,0467 |
| 9000+ | € 0,0372 |
Цена за:Each (Supplied on Full Reel)
Минимален: 3000
Множествен: 3000
€ 140,10 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителTOSHIBA
Част № на производителяHN1B04FU-GR,LF(T
Код на поръчката4274871
Известен също катоHN1B04FU-GR, HN1B04FU-GR,LF
Лист с технически данни
Transistor PolarityComplementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current NPN150mA
Continuous Collector Current PNP150mA
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN150MHz
Transition Frequency PNP120MHz
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Технически характеристики
Transistor Polarity
Complementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Continuous Collector Current PNP
150mA
Power Dissipation PNP
200mW
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
120MHz
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current NPN
150mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
150MHz
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Thailand
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Thailand
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):To Be Advised
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000006
Проследяване на продуктите