Отпечатване на страница
DMC21D1UDA-7B
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.5 ohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителDIODES INC.
Част № на производителяDMC21D1UDA-7B
Код на поръчката3944027RL
Лист с технически данни
8 480 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,145 |
| 500+ | € 0,125 |
| 1000+ | € 0,0806 |
| 5000+ | € 0,079 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 19,50 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителDIODES INC.
Част № на производителяDMC21D1UDA-7B
Код на поръчката3944027RL
Лист с технически данни
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel455mA
Continuous Drain Current Id P Channel455mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.5ohm
Transistor Case StyleX2-DFN0806
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel300mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Технически характеристики
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
455mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.5ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
300mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
455mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.5ohm
Transistor Case Style
X2-DFN0806
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001