Отпечатване на страница
DMC3016LDV-13
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.0095 ohm
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителDIODES INC.
Част № на производителяDMC3016LDV-13
Код на поръчката3944035RL
Лист с технически данни
2 563 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,387 |
| 500+ | € 0,285 |
| 1000+ | € 0,251 |
| 5000+ | € 0,217 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 43,70 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителDIODES INC.
Част № на производителяDMC3016LDV-13
Код на поръчката3944035RL
Лист с технически данни
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel21A
Continuous Drain Current Id P Channel21A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0095ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0095ohm
Transistor Case StylePowerDI3333
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel900mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Технически характеристики
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
21A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0095ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
900mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
21A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0095ohm
Transistor Case Style
PowerDI3333
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001
Проследяване на продуктите