Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителDIODES INC.
Част № на производителяDMG2305UX-7
Код на поръчката2543533
Лист с технически данни
293 588 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
Количество | |
---|---|
5+ | € 0,144 |
10+ | € 0,0988 |
100+ | € 0,070 |
500+ | € 0,0637 |
1000+ | € 0,061 |
5000+ | € 0,041 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 5
Множествен: 5
€ 0,72 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителDIODES INC.
Част № на производителяDMG2305UX-7
Код на поръчката2543533
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.2A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation1.4W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Преглед на продукта
DMG2305UX-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize on-state resistance (RDS(on)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters, motor controls.
- Low input capacitance, low on-resistance
- Fast switching speed
- Drain-source voltage is -20V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA=+25°C
- Continuous drain current is -4.2A at TA=+25°C, VGS = -4.5V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -15A at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 40mohm typ at VGS = -4.5V, ID = -4.2A, TA = +25°C
- Gate threshold voltage is -0.9V max at VDS = VGS, ID = -250µA, TA = +25°C
- SOT23 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (2)
Алтернативи за DMG2305UX-7
Открит е 1 продукт
Сродни продукти
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (27-Jun-2024)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000059