Отпечатване на страница
DMN3730UFB4-7
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 910 mA, 0.46 ohm, DFN, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителDIODES INC.
Част № на производителяDMN3730UFB4-7
Код на поръчката1863726
Лист с технически данни
Информация за продукта
ПроизводителDIODES INC.
Част № на производителяDMN3730UFB4-7
Код на поръчката1863726
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id910mA
Drain Source On State Resistance0.46ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation470mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
910mA
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
470mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.46ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Технически документи (1)
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000015