Отпечатване на страница
DMS3016SSS-13
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 9.8 A, 0.013 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителDIODES INC.
Част № на производителяDMS3016SSS-13
Код на поръчката1863729
Лист с технически данни
Информация за продукта
ПроизводителDIODES INC.
Част № на производителяDMS3016SSS-13
Код на поръчката1863729
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id9.8A
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.54W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Алтернативи за DMS3016SSS-13
Открит е 1 продукт
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:В очакване на инструкции
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000074