Отпечатване на страница
289 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 21,500 |
| 5+ | € 20,630 |
| 10+ | € 19,750 |
| 50+ | € 19,440 |
| 100+ | € 19,130 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 21,50 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителGENESIC
Част № на производителяG3R30MT12K
Код на поръчката3598641
Продуктова гамаG3R
Лист с технически данни
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.69V
Power Dissipation281W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Преглед на продукта
G3R30MT12K is a 1200V, 30mohm, N-channel enhancement mode, silicon carbide MOSFET. Applications include solar inverters, motor drives, EV charging, high voltage DC-DC converters, switched mode power supplies, UPS, smart grid transmission and distribution, induction heating and welding.
- G3R™ (3rd generation) technology, low temperature coefficient of RDS(ON)
- Lower Q and smaller RG(INT), low device capacitances (COSS, CRSS)
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, superior cost-performance index
- Robust body diode with low VF and low QRR, 100% avalanche (UIL) tested
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Reduced ringing, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- Operating and storage temperature range from -55 to 175°C, TO-247-4 package
- Continuous forward current is 50A at Tc = 100°C, V = -5 / +15V
Технически характеристики
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.69V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
281W
Product Range
G3R
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:United States
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.001393