Отпечатване на страница
BF998E6327HTSA1
RF FET Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBF998E6327HTSA1
Код на поръчката4318965
Лист с технически данни
Вече не се произвежда
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBF998E6327HTSA1
Код на поръчката4318965
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id30mA
Power Dissipation200mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-252
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
12V
Power Dissipation
200mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
30mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-252
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000635