Отпечатване на страница
BFS483H6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, Dual NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBFS483H6327XTSA1
Код на поръчката2480691
Известен също катоBFS 483 H6327, SP000750464
Лист с технически данни
57 В наличност
3 000 Можете да резервирате наличност сега
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 0,553 |
| 10+ | € 0,394 |
| 100+ | € 0,315 |
| 500+ | € 0,283 |
| 1000+ | € 0,277 |
| 5000+ | € 0,263 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 0,55 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBFS483H6327XTSA1
Код на поръчката2480691
Известен също катоBFS 483 H6327, SP000750464
Лист с технически данни
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8GHz
Power Dissipation450mW
Continuous Collector Current65mA
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
DC Current Gain hFE Min70hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The BFS 483 H6327 is a NPN Silicon RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 to 30mA. It is suitable for use with amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Two (galvanic) internal isolated transistor in one package
Приложения
Industrial, Wireless, Power Management
Технически характеристики
Transistor Polarity
Dual NPN
Transition Frequency
8GHz
Continuous Collector Current
65mA
No. of Pins
6Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
450mW
Transistor Case Style
SOT-363
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000004
Проследяване на продуктите