Отпечатване на страница
BSC014N04LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSC014N04LSATMA1
Код на поръчката2450402
Известен също катоBSC014N04LS, SP000871196
Лист с технически данни
11 335 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 5+ | € 1,570 |
| 50+ | € 1,190 |
| 250+ | € 0,832 |
| 1000+ | € 0,590 |
| 3000+ | € 0,584 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 5
Множествен: 5
€ 7,85 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSC014N04LSATMA1
Код на поръчката2450402
Известен също катоBSC014N04LS, SP000871196
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0014ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
The BSC014N04LS is a N-channel Power MOSFET features not only the industry's lowest RDS (ON) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower RDS (ON) and 31% lower figure of merit (RDS (ON) x Qg) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.
- Optimized for synchronous rectification
- Integrated Schottky-like diode
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Halogen-free
Приложения
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (3)
Алтернативи за BSC014N04LSATMA1
8 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0002