Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSC052N03LSATMA1
Код на поръчката2443370
Известен също катоBSC052N03LS, SP000807602
Лист с технически данни
2 819 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
Количество | |
---|---|
1+ | € 1,050 |
10+ | € 0,675 |
100+ | € 0,454 |
500+ | € 0,363 |
1000+ | € 0,308 |
5000+ | € 0,250 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,05 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSC052N03LSATMA1
Код на поръчката2443370
Известен също катоBSC052N03LS, SP000807602
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id57A
Drain Source On State Resistance0.0043ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation28W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
The BSC052N03LS is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Optimized for high performance Buck converter
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Приложения
Power Management, Motor Drive & Control, LED Lighting, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Consumer Electronics
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
57A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
28W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0043ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000153
Проследяване на продуктите