Отпечатване на страница
BSC060P03NS3EGATMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 100 A, 0.0041 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSC060P03NS3EGATMA1
Код на поръчката2432709RL
Известен също катоBSC060P03NS3E G, SP000472984
Лист с технически данни
37 729 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,545 |
| 500+ | € 0,414 |
| 1000+ | € 0,342 |
| 5000+ | € 0,319 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 59,50 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSC060P03NS3EGATMA1
Код на поръчката2432709RL
Известен също катоBSC060P03NS3E G, SP000472984
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0041ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The BSC060P03NS3E G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Normal level, logic level or super logic level
- 100% Avalanche rated
- ESD Protected
- Qualified to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Приложения
Power Management, Industrial
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Алтернативи за BSC060P03NS3EGATMA1
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0005
Проследяване на продуктите