Отпечатване на страница
BSC120N03MSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSC120N03MSGATMA1
Код на поръчката1775468
Известен също катоBSC120N03MS G, SP000311516
Лист с технически данни
17 053 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 0,381 |
| 10+ | € 0,292 |
| 100+ | € 0,240 |
| 500+ | € 0,174 |
| 1000+ | € 0,162 |
| 5000+ | € 0,151 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 0,38 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSC120N03MSGATMA1
Код на поръчката1775468
Известен също катоBSC120N03MS G, SP000311516
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation28W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The BSC120N03MS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Fast switching MOSFET for SMPS
- Optimized for 5V driver application
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- 100% Avalanche tested
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Superior thermal resistance
- Halogen-free, Green device
Приложения
Power Management, Motor Drive & Control, LED Lighting, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Consumer Electronics
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
39A
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
28W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (3)
Алтернативи за BSC120N03MSGATMA1
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000605
Проследяване на продуктите