Отпечатване на страница
BSC123N08NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSC123N08NS3GATMA1
Код на поръчката1775469
Известен също катоBSC123N08NS3 G, SP000443916
Лист с технически данни
67 704 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,160 |
| 10+ | € 0,826 |
| 100+ | € 0,647 |
| 500+ | € 0,516 |
| 1000+ | € 0,449 |
| 5000+ | € 0,414 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,16 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSC123N08NS3GATMA1
Код на поръчката1775469
Известен също катоBSC123N08NS3 G, SP000443916
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.0123ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation66W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
The BSC123N08NS3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading benchmark OptiMOS™ technology. It is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply and power consumption applications.
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile
- Normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Приложения
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control, LED Lighting, Automotive
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0123ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000172