Отпечатване на страница
BSS83PH6327XTSA1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSS83PH6327XTSA1
Код на поръчката2432722RL
Известен също катоBSS83P H6327, SP000702486
Лист с технически данни
10 900 В наличност
18 000 Можете да резервирате наличност сега
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 50+ | € 0,252 |
| 250+ | € 0,136 |
| 1000+ | € 0,104 |
| 5000+ | € 0,0776 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 30,20 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSS83PH6327XTSA1
Код на поръчката2432722RL
Известен също катоBSS83P H6327, SP000702486
Лист с технически данни
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id330mA
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
Преглед на продукта
The BSS83P H6327 is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC-Q101
- Logic level
- dV/dt Rated
- Halogen-free, Green device
Приложения
Power Management, Automotive, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals
Технически характеристики
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
330mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0005
Проследяване на продуктите