Отпечатване на страница
BSZ042N06NSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSZ042N06NSATMA1
Код на поръчката2443426RL
Известен също катоBSZ042N06NS, SP000917418
Лист с технически данни
134 213 В наличност
Имате нужда от повече?
ЕКСПРЕСНА доставка до 1 – 2 работни дни
Поръчайте преди 17:00 ч.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 0,554 |
| 500+ | € 0,487 |
| 1000+ | € 0,459 |
| 5000+ | € 0,426 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 1
€ 60,40 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяBSZ042N06NSATMA1
Код на поръчката2443426RL
Известен също катоBSZ042N06NS, SP000917418
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The BSZ042N06NS is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- MSL1 rated
- 40% lower RDS (ON) than alternative devices
- 40% Improvement of FOM over similar devices
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
- Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection
Приложения
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Portable Devices
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Алтернативи за BSZ042N06NSATMA1
2 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0003