Отпечатване на страница
DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Booster, N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.024 ohm, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяDF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Код на поръчката4694658
Продуктова гамаEasyPACK Series
Известен също катоDF17MR12W1M1HF_B86, SP006008193
Лист с технически данни
16 В наличност
Имате нужда от повече?
ЕКСПРЕСНА доставка до 1 – 2 работни дни
Поръчайте преди 17:00 ч.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 79,870 |
| 5+ | € 73,160 |
| 10+ | € 66,440 |
| 50+ | € 65,110 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 79,87 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяDF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Код на поръчката4694658
Продуктова гамаEasyPACK Series
Известен също катоDF17MR12W1M1HF_B86, SP006008193
Лист с технически данни
MOSFET Module ConfigurationBooster
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins21Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. It is ideal for solar applications.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low inductive design, high current density
- PressFIT contact technology, integrated NTC temperature sensor
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 50A at TH = 80°C, Tvj = 175°C, VGS = 18V
- Repetitive peak drain current is 100A (verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 16.2mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 50A
- Total gate charge is 0.149µC typ at VDD = 800V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
Технически характеристики
MOSFET Module Configuration
Booster
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
No. of Pins
21Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000001
Проследяване на продуктите