Отпечатване на страница
EVALPSE1BF12SICTOBO1
Evaluation Board, FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B1, SiC MOSFET
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяEVALPSE1BF12SICTOBO1
Код на поръчката3500939
Известен също катоSP001798382
Лист с технически данни
2 В наличност
Имате нужда от повече?
ЕКСПРЕСНА доставка до 1 – 2 работни дни
Поръчайте преди 17:00 ч.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 260,000 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 260,00 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяEVALPSE1BF12SICTOBO1
Код на поръчката3500939
Известен също катоSP001798382
Лист с технически данни
Silicon ManufacturerInfineon
Silicon Core NumberFF11MR12W1M1_B11, FF23MR12W1M1_B11
Kit Application TypePower Management
Application Sub TypeSiC MOSFET Module
Kit ContentsEvaluation Board FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B11
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
Evaluation board for CoolSiC™ Easy1B half-bridge modules. This board has the purpose to enable the evaluation of the FF11MR12W1M1_B11 and FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC™ MOSFET modules with EiceDRIVER™ 1200V isolated gate driver 1EDI60I12AF. The evaluation board allows the performance of double-pulse measurements as well as functional tests as DC/DC converter. Therefore the board is designed as bidirectional buck-boost converter. Target applications include charger, solar energy systems and UPS.
- Double pulse characterization
- Functional testing of the buck-boost operation using electrical loads at the input or output stage
- Maximum supply voltage of 900V
Технически характеристики
Silicon Manufacturer
Infineon
Kit Application Type
Power Management
Kit Contents
Evaluation Board FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B11
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Silicon Core Number
FF11MR12W1M1_B11, FF23MR12W1M1_B11
Application Sub Type
SiC MOSFET Module
Product Range
-
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.25