Отпечатване на страница
FF200R12KT4HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяFF200R12KT4HOSA1
Код на поръчката2377249
Известен също катоFF200R12KT4, SP000370618
Лист с технически данни
17 В наличност
70 Можете да резервирате наличност сега
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 98,950 |
| 5+ | € 90,820 |
| 10+ | € 82,680 |
| 50+ | € 81,030 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 98,95 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяFF200R12KT4HOSA1
Код на поръчката2377249
Известен също катоFF200R12KT4, SP000370618
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityDual NPN
DC Collector Current320A
Continuous Collector Current320A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation1.1kW
Power Dissipation Pd1.1kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Технически характеристики
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
320A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
1.1kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
Dual NPN
Continuous Collector Current
320A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
1.1kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Технически документи (1)
Алтернативи за FF200R12KT4HOSA1
3 Намерени продукта
Сродни продукти
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Hungary
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Hungary
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.25
Проследяване на продуктите