Отпечатване на страница
FF600R12KE4BOSA1
IGBT Module, Trench/Fieldstop, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module
9 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 162,980 |
| 5+ | € 157,680 |
| 10+ | € 152,370 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 162,98 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяFF600R12KE4BOSA1
Код на поръчката2803384
Продуктова гама62mm C
Известен също катоFF600R12KE4, SP001500368
Лист с технически данни
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current600A
Continuous Collector Current600A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT 4 and emitter controlled 4 diode suitable for use in high power converters, motor drives, UPS systems and wind turbines.
- Extended operating temperature Tvjop
- Low switching losses
- Low VCEsat
- Unbeatable robustness
- VCEsat with positive temperature coefficient
- 4KV AC1 min insulation
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- High power density
- Isolated base plate
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Технически документи (1)
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Hungary
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Hungary
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.000308
Проследяване на продуктите