Отпечатване на страница
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяFS33MR12W1M1HB70BPSA1
Код на поръчката4351790
Продуктова гамаEasyPACK Series
Известен също катоFS33MR12W1M1H_B70, SP005634675
Лист с технически данни
32 В наличност
Имате нужда от повече?
ЕКСПРЕСНА доставка до 1 – 2 работни дни
Поръчайте преди 17:00 ч.
БЕЗПЛАТНА стандартна доставка
при поръчки от € 0,00 и повече
Точните срокове за доставка ще бъдат изчислени при плащане
Количество | |
---|---|
1+ | € 89,820 |
5+ | € 83,450 |
10+ | € 77,070 |
50+ | € 75,530 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 89,82 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяFS33MR12W1M1HB70BPSA1
Код на поръчката4351790
Продуктова гамаEasyPACK Series
Известен също катоFS33MR12W1M1H_B70, SP005634675
Лист с технически данни
MOSFET Module ConfigurationSixPack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0323ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins23Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
FS33MR12W1M1HB70BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. Potential applications include high-frequency switching applications, DC/DC converters, motor drives, and UPS systems.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low inductive design, low switching losses
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps, PressFIT contact technology
- Integrated NTC temperature sensor, AlN substrate with low thermal resistance
- Drain-source leakage current is 0.015µA typ at VDS = 1200V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 25A at TH = 120°C, Tvj = 175°C, VGS = 18V
- Repetitive peak drain current is 50A (verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Storage temperature range from -40 to 125°C
- Drain-source on-resistance is 32.3mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 25A
Технически характеристики
MOSFET Module Configuration
SixPack
Continuous Drain Current Id
25A
Drain Source On State Resistance
0.0323ohm
No. of Pins
23Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
EasyPACK Series
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85044095
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.1
Проследяване на продуктите