Отпечатване на страница
FS50R12W2T4B11BOMA1
IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 50 A, 1.85 V, 335 W, 150 °C, Module
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяFS50R12W2T4B11BOMA1
Код на поръчката1833612
Известен също катоFS50R12W2T4_B11, SP000546148
Лист с технически данни
На разположение за поръчка
Стандартно време за изпълнение на производителя: 12 седмица(и)
Свържете се с мен, когато продуктът е наличен отново.
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 54,500 |
| 5+ | € 50,960 |
| 10+ | € 47,410 |
| 50+ | € 45,570 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 54,50 (без ДДС)
Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяFS50R12W2T4B11BOMA1
Код на поръчката1833612
Известен също катоFS50R12W2T4_B11, SP000546148
Лист с технически данни
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
Continuous Collector Current50A
DC Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation335W
Power Dissipation Pd335W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins18Pins
IGBT TerminationPress Fit
IGBT TechnologyIGBT 4
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Product Range-
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Преглед на продукта
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
335W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature Tj Max
150°C
No. of Pins
18Pins
IGBT Technology
IGBT 4
Product Range
-
IGBT Configuration
Six Pack [Full Bridge]
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
335W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Germany
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (08-Jul-2021)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.039
Проследяване на продуктите