Отпечатване на страница
IGC033S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, TSON, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIGC033S10S1XTMA1
Код на поръчката4640392
Продуктова гамаCoolGaN G3 Series
Известен също катоIGC033S10S1, SP005751571
Лист с технически данни
1 110 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 3,420 |
| 10+ | € 2,470 |
| 100+ | € 1,910 |
| 500+ | € 1,650 |
| 1000+ | € 1,520 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 3,42 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIGC033S10S1XTMA1
Код на поръчката4640392
Продуктова гамаCoolGaN G3 Series
Известен също катоIGC033S10S1, SP005751571
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id76A
Drain Source On State Resistance0.0033ohm
Typical Gate Charge11nC
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins6Pins
Product RangeCoolGaN G3 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
IGC033S10S1XTMA1 is a CoolGaN™ G3 100V, 2.4mohm normally-off e-mode power transistor, enabling high power density designs. It is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications. Suitable for telecom & datacentre 48V IBC, sync rectification for AC‑DC and DC‑DC converters, robotics and drones, battery powered tools, 48V servo drive, e‑Mobility, UAVs, Class D audio, solar & energy storage systems, point of load converters applications.
- Ultra fast switching and high efficiency
- No reverse recovery charge, space saving and highly robust package
- Ultra low gate charge and output charge
- Exposed die for top‑side thermal excellence
- Best-in-class power density, highest efficiency, excellent reliability, lowering BOM cost
- Improved thermal management
- Enabling smaller and lighter designs
- 120V max pulsed drain‑source voltage at VGS=0V, 1h total time
- 76A max continuous drain current at Vgs=5V, T =25°C
- 6 pin TSON package, junction temperature range from ‑40 to 150°C
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0033ohm
Transistor Case Style
TSON
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
76A
Typical Gate Charge
11nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G3 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00001
Проследяване на продуктите