Отпечатване на страница
IGLD60R190D1AUMA3
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Surface Mount
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIGLD60R190D1AUMA3
Код на поръчката3775954RL
Продуктова гамаCoolGaN
Известен също катоSP005557217, IGLD60R190D1
Лист с технически данни
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
On Resistance Rds(on) Max0.19ohm
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Typical Gate Charge3.2nC
Transistor Case StyleLSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Алтернативи за IGLD60R190D1AUMA3
Открит е 1 продукт
Технически характеристики
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on) Max
0.19ohm
Typical Gate Charge
3.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
LSON
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0001