Отпечатване на страница
IGP30N60H3XKSA1
IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIGP30N60H3XKSA1
Код на поръчката1832334
Известен също катоIGP30N60H3, SP000702546
Лист с технически данни
1 107 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 3,300 |
| 10+ | € 3,130 |
| 100+ | € 1,510 |
| 500+ | € 1,220 |
| 1000+ | € 1,060 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 3,30 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIGP30N60H3XKSA1
Код на поръчката1832334
Известен също катоIGP30N60H3, SP000702546
Лист с технически данни
Continuous Collector Current30A
Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
Power Dissipation187W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
The IGP30N60H3 is a High Speed IGBT in Trench and field-stop technology. The high speed device is used to reduce the size of the active components (25 to 70kHz). Infineon's high speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-OFF switching behaviour, leading to low turn-OFF losses.
- Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching @ frequencies below 70kHz
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short-circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
- Very good EMI behaviour
- Small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
- Best-in-class IGBT efficiency and EMI behaviour
- Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
- Green product
- Halogen-free
Приложения
Power Management, Alternative Energy
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation
187W
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Технически документи (1)
Алтернативи за IGP30N60H3XKSA1
Открит е 1 продукт
Сродни продукти
3 Намерени продукта
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Philippines
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00195
Проследяване на продуктите