Отпечатване на страница
IPB50R140CPATMA1
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIPB50R140CPATMA1
Код на поръчката2443387
Известен също катоIPB50R140CP, SP000212746
Лист с технически данни
947 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 4,390 |
| 10+ | € 2,910 |
| 100+ | € 2,070 |
| 500+ | € 1,910 |
| 1000+ | € 1,560 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 4,39 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIPB50R140CPATMA1
Код на поръчката2443387
Известен също катоIPB50R140CP, SP000212746
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation192W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Преглед на продукта
The IPB50R140CP is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET with ultra-low gate charge and high peak current capability. The CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
- Lowest figure of merit Ron x Qg
- Extreme dV/dt rate
- Ultra low RDS (ON), very fast switching
- Very low internal Rg
- High peak current capability
- High power density and efficiency for superior power conversion systems
- Best-in-class performance ratio
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Приложения
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Alternative Energy
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
192W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.00181
Проследяване на продуктите