Отпечатване на страница
IPT059N15N3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIPT059N15N3ATMA1
Код на поръчката2480870RL
Продуктова гамаOptiMOS 3 Series
Известен също катоIPT059N15N3, SP001100162
Лист с технически данни
5 972 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 3,070 |
| 500+ | € 2,590 |
| 1000+ | € 2,450 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 312,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIPT059N15N3ATMA1
Код на поръчката2480870RL
Продуктова гамаOptiMOS 3 Series
Известен също катоIPT059N15N3, SP001100162
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id155A
Drain Source On State Resistance0.005ohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
IPT059N15N3ATMA1 is an OptiMOS™3 N-channel power MOSFET. Potential applications are forklift, light electric vehicles (LEV) e.g. e-scooter, e-bikes or µ-car, Point-of-load (POL), telecom, efuse.
- Normal level, excellent gate charge xRDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS (on), 175°C operating temperature, PG-HSOF-8 package
- Qualified according to JEDEC for target application
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
- Less paralleling and cooling required, highest system reliability
- System cost reduction, enabling very compact design
- Drain-source on-state resistance is 5.9mohm at VGS=10V, ID=150A
- Diode continuous forward current is 155A at TC=25°C
- Drain-source breakdown voltage is 150V at VGS=0V, ID=1mA
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
155A
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.005ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (1)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.0007