Отпечатване на страница
IPT111N20NFDATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Surface Mount
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIPT111N20NFDATMA1
Код на поръчката2803401RL
Продуктова гамаOptiMOS 3 Series
Известен също катоIPT111N20NFD, SP001340384
Лист с технически данни
2 709 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | € 3,730 |
| 500+ | € 3,720 |
| 1000+ | € 3,650 |
Цена за:Each (Supplied on Cut Tape)
Минимален: 100
Множествен: 5
€ 378,00 (без ДДС)
Допълнителна такса за пренавиване от € 5,00 ще бъде добавена за този продукт
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIPT111N20NFDATMA1
Код на поръчката2803401RL
Продуктова гамаOptiMOS 3 Series
Известен също катоIPT111N20NFD, SP001340384
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id96A
Drain Source On State Resistance0.0111ohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
- 200V OptiMOS™ 3 power transistor
- N-channel, normal level
- Fast diode(FD) with reduced Qrr
- Optimized for hard commutation ruggedness
- Very low on-resistance RDS(on)
- 175°C operating temperature
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
96A
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0111ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (3)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.004536
Проследяване на продуктите