Отпечатване на страница
IRF100B201
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 192 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRF100B201
Код на поръчката2709888
Продуктова гамаStrongIRFET, HEXFET
Известен също катоSP001561498
Лист с технически данни
6 473 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,950 |
| 10+ | € 1,830 |
| 100+ | € 1,200 |
| 500+ | € 0,972 |
| 1000+ | € 0,862 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,95 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRF100B201
Код на поръчката2709888
Продуктова гамаStrongIRFET, HEXFET
Известен също катоSP001561498
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id192A
Drain Source On State Resistance0.0042ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation441W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET, HEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Преглед на продукта
HEXFET® power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/AC inverters , DC/DC and AC/DC converters.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
192A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
441W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0042ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET, HEXFET
MSL
-
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:China
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Стойност на вещества, пораждащи сериозно безпокойство (SVHC):No SVHC (21-Jan-2025)
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.002268
Проследяване на продуктите