Отпечатване на страница
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRF1607PBF
Код на поръчката2781903
Продуктова гамаHEXFET
Известен също катоSP001553894
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id142A
Drain Source On State Resistance7500µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation380W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
Алтернативи за IRF1607PBF
Открит е 1 продукт
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
142A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
380W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Технически документи (2)
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Malaysia
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.056699
Проследяване на продуктите