Отпечатване на страница
IRF3205ZLPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Through Hole
Изображението е само с илюстративна цел. Моля, консултирайте се с описанието.
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRF3205ZLPBF
Код на поръчката2579973
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001564660
Лист с технически данни
1 925 В наличност
Имате нужда от повече?
Доставка в рамките на 1 – 3 дни
Поръчайте преди 17:00 ч. за стандартна доставка
На разположение до изчерпване на количествата
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | € 1,790 |
| 10+ | € 1,410 |
| 100+ | € 1,140 |
| 500+ | € 0,922 |
| 1000+ | € 0,822 |
Цена за:Each
Минимален: 1
Множествен: 1
€ 1,79 (без ДДС)
Добавете номер на частта /Бележка на реда
Добавено към потвърждението на поръчката, фактурата и бележката за изпращане само за тази поръчка.
Този номер ще бъде добавен към потвърждението на поръчката, фактурата, бележката за изпращане, имейла за уеб потвърждение и етикета на продукта.
Информация за продукта
ПроизводителINFINEON
Част № на производителяIRF3205ZLPBF
Код на поръчката2579973
Продуктова гамаHEXFET Series
Известен също катоSP001564660
Лист с технически данни
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.0065ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
Преглед на продукта
IRF3205ZLPBF is a HEXFET® Power MOSFET that utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This feature combines to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Ultra low on-resistance
- Fast switching, repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Drain-to-source breakdown voltage is 55V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 4.9mohm (typ, VGS = 10V, ID = 66A, TJ = 25°C)
- Drain-to-source leakage current is 20µA (max, VDS = 55V, VGS = 0, TJ = 25°C)
- Gate-to-source charge is 21nC (typ, VDS = 44V, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 18ns (typ, VDD = 28, TJ = 25°C)
- Fall time is 67ns (typ, VGS = 10V, TJ = 25°C)
- Reverse recovery time is 28ns (typ, TJ = 25°C, IF = 66A, VDD = 25V)
- TO-262 package, operating junction and storage temperature range from -55 to 175°C
Технически характеристики
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-262
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.0065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
Технически документи (2)
Сродни продукти
Открит е 1 продукт
Законодателство и околна среда
Страна на произход:
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процесСтрана на произход:Mexico
Страна, в която е реализиран последният важен производствен процес
Тарифа №:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS съвместим:Да
RoHS
Съвместими с Директивата относно ограничението за употребата на определени опасни вещества (RoHS) за фталатите:Да
RoHS
Изтеглете сертификат за съответствие на продукта
Сертификат за съответствие на продукта
Тегло (кг):.001225